Samsung начал массовое производство 64-слойных модулей V-NAND TLC


Samsung начал массовое производство 64-слойных модулей V-NAND TLC

Это уже четвертое поколение памяти V-NAND от Samsung. Южнокорейское предприятие объявило о том, что оно начало массовое производство 64-слойных, 256-гигабайтовых модулей V-NAND TLC.
 
Новая память характеризуется скоростью передачи данных на уровне 1 Гбит/с, а коэффициент tPROG составляет 500 микросекунд, что в четыре раза лучше, относительно обычных, „плоских”, 10-нм модулей NAND-памяти и примерно в 1,5 раза лучше по сравнению с 48-слойными модулями 3D NAND емкостью 256 Гб. Компания гарантирует, что справилась с задачей подготовки нескольких десятков слоев, состоящих из сложной матрицы ячеек, основанной на структуре 3D.






Новые, 64-слойные модули V-NAND емкостью 256 Гб, должны обеспечить на 30 процентов более высокую производительность по отношению к своими 48-слойным предшественниками. Сокращается также входное напряжение с 3,3 в до 2,5 в, а сами продукты должны быть очень энергосберегающими. Кроме того, на 20% увеличен срок службы отдельных модулей.

Согласно информации Samsung, до конца года производство новых чипов будет составлять 50 процентов от всего производства памяти NAND корейской компании. Компания гарантирует, что находится на правильном пути, чтобы представить первые терабайтные модели, содержащие 90 и более слоев. Можно, однако, полагать, что на этот тип памяти нужно будет еще немного подождать.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: